电子器件2018，Vol.41Issue(5)：1093-1096,4.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2018.05.002
5 V pMOS器件的热载流子注入退化机理
Investigations on Hot-Carrier Injection Degradation Mechanism of 5 V pMOS Device
摘要
关键词
pMOS/热载流子注入/不同栅压应力/TCAD仿真分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨翰琪,刘小红,吕康,魏家行,孙伟锋..5 V pMOS器件的热载流子注入退化机理[J].电子器件,2018,41(5):1093-1096,4.基金项目
国家自然科学基金项目(61604038) （61604038）
江苏省高校品牌专业建设工程项目 （）
