电子器件2018，Vol.41Issue(5)：1101-1104,4.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2018.05.004
一种新型的常通型GaN HEMT器件
A Novel Normally-on GaN HEMT Device
摘要
关键词
常通型/GaNHEMT器件/高频/电流崩塌分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
徐宏庆,修强,董耀文,秦海鸿..一种新型的常通型GaN HEMT器件[J].电子器件,2018,41(5):1101-1104,4.基金项目
中央高校基本科研业务费专项基金项目(NJ20160047) （NJ20160047）
