计算机工程与科学2018，Vol.40Issue(9)：1546-1555,10.DOI:10.3969/j.issn.1007-130X.2018.09.004
相变存储器写寿命延长关键技术研究进展
Review:Key techniques of write endurance improvement for phase change memory
摘要
关键词
相变存储器/混合内存/写寿命/磨损均衡分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张震,付印金,胡谷雨..相变存储器写寿命延长关键技术研究进展[J].计算机工程与科学,2018,40(9):1546-1555,10.基金项目
国家自然科学基金(61402518) （61402518）
