航天器环境工程2018，Vol.35Issue(5)：462-467,6.DOI:10.12126/see.2018.05.010
大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究
Test study of single event effects on large capacity radiation-hardened SRAMs
余永涛 1陈毓彬 1水春生 1王小强 1冯发明 2费武雄1
作者信息
- 1. 工业和信息化部电子第五研究所,广州 510610
- 2. 华南理工大学电子与信息学院,广州 510641
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摘要
关键词
单粒子效应/大容量SRAM/抗辐射加固/Bulk CMOS工艺/SOI CMOS工艺/重离子射程分类
航空航天引用本文复制引用
余永涛,陈毓彬,水春生,王小强,冯发明,费武雄..大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究[J].航天器环境工程,2018,35(5):462-467,6.
