真空电子技术Issue(4)：前插1,1-7,8.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2018.04.01
覆铜氮化铝陶瓷基板失效机理分析
Preliminary Study on Failure Mechanism of Ceramic Substrates
张珊珊 1杨理航 1王燕斌 1颜鲁春 1高克玮 1万晓玲 1张雷 2杨会生1
作者信息
- 1. 北京科技大学材料科学与工程学院,北京 100083
- 2. 北京科技大学化学与生物工程学院,北京 100083
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摘要
关键词
AlN/陶瓷基板/残余应力/滞后环/棘轮效应/包辛格效应分类
化学化工引用本文复制引用
张珊珊,杨理航,王燕斌,颜鲁春,高克玮,万晓玲,张雷,杨会生..覆铜氮化铝陶瓷基板失效机理分析[J].真空电子技术,2018,(4):前插1,1-7,8.
