武汉工程大学学报2018，Vol.40Issue(5)：538-542,5.DOI:10.3969/j.issn.1674-2869.2018.05.012
磷掺杂碳化硅的制备及其影响因素
Preparation of Phosphorus Doped-Silicon Carbide and Influence Factors
摘要
关键词
碳化硅/磷掺杂/碳热还原法/禁带宽度/比表面积/影响因素分类
化学化工引用本文复制引用
袁密,高峰,竺昌海,郑雨佳,李梓烨,薛俊,曹宏..磷掺杂碳化硅的制备及其影响因素[J].武汉工程大学学报,2018,40(5):538-542,5.基金项目
国家自然科学基金(71303180) （71303180）
国家科技支撑计划项目(2013BAB07B05) （2013BAB07B05）
武汉工程大学研究生教育创新基金(CX2017010) （CX2017010）
