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质子在砷化镓材料中产生位移损伤的Geant4模拟

李永宏 寇勃晨 赵耀林 贺朝会 于庆奎

原子能科学技术2018,Vol.52Issue(10):1735-1739,5.
原子能科学技术2018,Vol.52Issue(10):1735-1739,5.DOI:10.7538/yzk.2017.youxian.0636

质子在砷化镓材料中产生位移损伤的Geant4模拟

Geant4 Simulation of Proton Displacement Damage in GaAs

李永宏 1寇勃晨 1赵耀林 1贺朝会 1于庆奎2

作者信息

  • 1. 西安交通大学核科学与技术学院,陕西西安710049
  • 2. 中国航天宇航元器件工程中心,北京100029
  • 折叠

摘要

关键词

质子/砷化镓/位移损伤/Geant4

分类

能源科技

引用本文复制引用

李永宏,寇勃晨,赵耀林,贺朝会,于庆奎..质子在砷化镓材料中产生位移损伤的Geant4模拟[J].原子能科学技术,2018,52(10):1735-1739,5.

基金项目

强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1610) (SKLIPR1610)

国家自然科学基金资助项目(11475256) (11475256)

原子能科学技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6931

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