原子与分子物理学报2018，Vol.35Issue(5)：853-860,8.DOI:10.3969/j.issn.1000-0364.2018.05.023
掺杂Si/SiO2界面电子结构与光学性质的第一性原理研究
First-principles study on the electronic structure and optical properties of doped Si/SiO2 interface
摘要
关键词
Si/SiO2界面/第一性原理/电子结构/光学性质/掺杂/压强分类
数理科学引用本文复制引用
顾芳,孙亚飞,张加宏,何鹏翔,王丽阳..掺杂Si/SiO2界面电子结构与光学性质的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2018,35(5):853-860,8.基金项目
国家自然科学基金(61307113,61306138) （61307113,61306138）
江苏高校品牌专业建设工程项目(TAPP) （TAPP）
江苏省高等学校大学生实践创新训练计划项目(201710300092) （201710300092）
