|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|中国电机工程学报|压接型IGBT器件温度与压力的一维场计算方法

压接型IGBT器件温度与压力的一维场计算方法

范思远 赵志斌 倪筹帷 崔翔 李金元

中国电机工程学报2018，Vol.38Issue(z1)：215-223,9.
✕
中国电机工程学报2018，Vol.38Issue(z1)：215-223,9.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.181079

压接型IGBT器件温度与压力的一维场计算方法

One-dimensional Field Method for Temperature and Pressure of Press-pack IGBT Devices

范思远 1赵志斌 1倪筹帷 2崔翔 1李金元3

作者信息

  • 1. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京市昌平区 102206
  • 2. 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院,浙江省杭州市 310014
  • 3. 先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司),北京市昌平区 102209
  • 折叠

摘要

关键词

可靠性/绝缘栅双极型晶体管/温度/压力/一维模型

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

范思远,赵志斌,倪筹帷,崔翔,李金元..压接型IGBT器件温度与压力的一维场计算方法[J].中国电机工程学报,2018,38(z1):215-223,9.

基金项目

国家自然科学基金委员会–智能电网联合基金资助(U1766219). （U1766219）

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文