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Cs掺杂的高性能(NH2CH=NH2)1-xCsxPbI3光电探测器

张猛 张帆 张华野 胡煜峰 娄志东

发光学报2018,Vol.39Issue(11):1613-1620,8.
发光学报2018,Vol.39Issue(11):1613-1620,8.DOI:10.3788/fgxb20183911.1613

Cs掺杂的高性能(NH2CH=NH2)1-xCsxPbI3光电探测器

High-performance Photodetectors Based on Cs-doped(NH2CH—NH2)1-xCsxPbI3 Thin Film

张猛 1张帆 1张华野 1胡煜峰 1娄志东1

作者信息

  • 1. 北京交通大学光电子技术研究所 发光与光信息教育部重点实验室, 北京100044
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摘要

关键词

FAPbI3钙钛矿/相变/Cs掺杂/光电探测器性能

分类

数理科学

引用本文复制引用

张猛,张帆,张华野,胡煜峰,娄志东..Cs掺杂的高性能(NH2CH=NH2)1-xCsxPbI3光电探测器[J].发光学报,2018,39(11):1613-1620,8.

基金项目

国家自然科学基金(61475014,61674012,61675018,61775011) (61475014,61674012,61675018,61775011)

国家重点研发计划(2016YFB0700703)资助项目 (2016YFB0700703)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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