现代应用物理2018，Vol.9Issue(3)：1-9,9.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2018.030101
CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应仿真研究进展
The Simulation Study on Single Event Effect of Radiation Hardened CMOS Integrated Circuits
摘要
关键词
CMOS集成电路/单粒子效应/仿真/抗辐射加固/交叉隔离/错误猝熄分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
赵元富,王亮,舒磊,刘家齐,刘琳,岳素格,李同德,李园,顾问..CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应仿真研究进展[J].现代应用物理,2018,9(3):1-9,9.基金项目
国家自然科学基金资助项目(11690045 （）
61674015) （）
