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He2+注入六方SiC晶体损伤效应的拉曼光谱研究

韩驿 彭金鑫 李炳生 王志光 魏孔芳 刘会平 张利民

现代应用物理2018，Vol.9Issue(3)：45-50,6.
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现代应用物理2018，Vol.9Issue(3)：45-50,6.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2018.030601

He2+注入六方SiC晶体损伤效应的拉曼光谱研究

Raman Spectrosopy Study of Implantation Damage of He2+ Implanted Hexagonal SiC Crystals

韩驿 1彭金鑫 2李炳生 3王志光 1魏孔芳 1刘会平 1张利民1

作者信息

  • 1. 中国科学院近代物理研究所,兰州730000
  • 2. 中国科学院大学,北京100049
  • 3. 兰州大学核科学与技术学院,兰州730000
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅/离子注入/拉曼光谱/损伤累积

分类

能源科技

引用本文复制引用

韩驿,彭金鑫,李炳生,王志光,魏孔芳,刘会平,张利民..He2+注入六方SiC晶体损伤效应的拉曼光谱研究[J].现代应用物理,2018,9(3):45-50,6.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11475229) （11475229）

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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