现代应用物理2018，Vol.9Issue(3)：51-56,6.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2018.030602
P型栅增强型GaN功率开关器件的中子辐照效应
Neutron Radiation Effects of P-Gate Normally-Off GaN Power Switching Transistor
张得玺 1陈伟 1罗尹虹 1刘岩 1郭晓强1
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摘要
关键词
氮化镓功率器件/增强型/栅注入晶体管/GaN/位移损伤效应分类
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张得玺,陈伟,罗尹虹,刘岩,郭晓强..P型栅增强型GaN功率开关器件的中子辐照效应[J].现代应用物理,2018,9(3):51-56,6.
