4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子烧毁效应

刘忠永蔡理刘保军刘小强崔焕卿杨晓阔

空军工程大学学报（自然科学版）2018，Vol.19Issue(3)：95-100,6.

空军工程大学学报（自然科学版）2018，Vol.19Issue(3)：95-100,6.DOI:10.3969/j.issn.1009-3516.2018.03.017

Single Event Burnout of 4H-SiC Semi-Super-Junction VDMOSFET

刘忠永 ¹蔡理 ¹刘保军 ²刘小强 ¹崔焕卿 ¹杨晓阔¹

作者信息

4H-SiC/垂直双扩散MOSFET/半超结/单粒子烧毁

信息技术与安全科学

刘忠永,蔡理,刘保军,刘小强,崔焕卿,杨晓阔..4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子烧毁效应[J].空军工程大学学报（自然科学版）,2018,19(3):95-100,6.

国家自然科学基金(11405270) （11405270）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：2097-1915

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