量子电子学报2018，Vol.35Issue(6)：747-751,5.DOI:10.3969/j.issn.1007-5461.2018.06.016
导带弯曲对有限深量子阱中激子态影响的研究
Effect of band bending on exciton in a finite-barries quantum well
张金凤 1李腾2
作者信息
- 1. 山东外事翻译职业学院信息工程学院,山东 威海 264504
- 2. 山东外事翻译职业学院信息化管理办公室,山东 威海 264504
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摘要
关键词
光电子学/变分法/导带弯曲/量子阱/激子分类
数理科学引用本文复制引用
张金凤,李腾..导带弯曲对有限深量子阱中激子态影响的研究[J].量子电子学报,2018,35(6):747-751,5.
