电子学报2018，Vol.46Issue(8)：2026-2029,4.DOI:10.3969/j.issn.0372-2112.2018.08.031
基于磷钝化栅介质的1.2kV4H-SiC DMOSFET
1.2kV 4H-SiC DMOSFET with Phosphorous Passivated Gate Dielectric
刘佳佳 1刘英坤 1谭永亮 1张力江 1崔玉兴1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051
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摘要
关键词
4H-SiC MOSFET/4H-SiC/SiO2界面/磷钝化/界面态密度分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘佳佳,刘英坤,谭永亮,张力江,崔玉兴..基于磷钝化栅介质的1.2kV4H-SiC DMOSFET[J].电子学报,2018,46(8):2026-2029,4.
