电源学报2018，Vol.16Issue(6)：143-151,9.DOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2018.6.143
碳化硅MOSFET特征参数随温度变化的比较研究
Comparative Study on Temperature-dependent Characteristic Parameters of SiC MOSFET
摘要
关键词
SiCMOSFET/温度/导通电阻/阈值电压/迁移率/界面态分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
江芙蓉,杨树,盛况..碳化硅MOSFET特征参数随温度变化的比较研究[J].电源学报,2018,16(6):143-151,9.基金项目
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400402) （2016YFB0400402）
国家自然科学基金资助项目(51577169) （51577169）
