机械科学与技术2018，Vol.37Issue(12)：1969-1974,6.DOI:10.13433/j.cnki.1003-8728.20180097
SiC单晶片研磨材料去除率研究
Study on Material Removal Rate in Lapping of SiC Single Crystal Wafer
摘要
关键词
SiC单晶片/研磨/磨粒/材料去除率分类
机械制造引用本文复制引用
袁启龙,付慧,李淑娟,姜陶然,杨明顺..SiC单晶片研磨材料去除率研究[J].机械科学与技术,2018,37(12):1969-1974,6.基金项目
国家自然科学基金项目(51575442,51175420)与陕西省教育厅重点实验室项目(13JS071)资助 （51575442,51175420）
