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GaN MOSFET高效谐振驱动电路设计及损耗分析OA北大核心CSTPCD

Design and loss of high efficient resonant driving circuit of GaN MOSFET

中文摘要

为了解决GaN MOSFET门极驱动的高损耗问题,对比分析了传统驱动和谐振门板驱动电路,提出一种新型谐振门板驱动电路,通过建立数学模型、LTspice仿真分析以及实验验证所提出门板驱动电路的正确性.其基本原理为利用谐振原理在开关管关断过程中通过L将存储在C中的能量反馈到电源中,使能量得到有效利用,从而减小功率损耗.结果表明:GaN MOSFET开通和关断的时间分别为12 ns和16 ns,能够实现开关管的快速开断;新型谐振驱动电路的门极损耗比传统…查看全部>>

高圣伟;苏佳;刘晓明;李龙女

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信息技术与安全科学

GaN MOSFET高频门极驱动谐振驱动电路门极损耗

《天津工业大学学报》 2018 (5)

64-69,6

国家自然科学基金重点资助项目(51137001)

10.3969/j.issn.1671-024x.2018.05.010

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