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Sb,S共掺杂SnO2电子结构的第一性原理分析

丁超 李卫 刘菊燕 王琳琳 蔡云 潘沛锋

物理学报2018，Vol.67Issue(21)：121-127,7.
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物理学报2018，Vol.67Issue(21)：121-127,7.DOI:10.7498/aps.67.20181228

Sb,S共掺杂SnO2电子结构的第一性原理分析

First principle study of electronic structure of Sb, S Co-doped SnO2

丁超 1李卫 1刘菊燕 2王琳琳 3蔡云 1潘沛锋1

作者信息

  • 1. 南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院,南京 210023
  • 2. 东南大学毫米波国家重点实验室,南京 210096
  • 3. 南京大学物理学院,南京 210093
  • 折叠

摘要

关键词

共掺/SnO2/第一性原理/电子结构

引用本文复制引用

丁超,李卫,刘菊燕,王琳琳,蔡云,潘沛锋..Sb,S共掺杂SnO2电子结构的第一性原理分析[J].物理学报,2018,67(21):121-127,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:11504177)、中国博士后科学基金特别资助(批准号:2018T110480)、江苏省自然科学基金(批准号:BK20171442)和东南大学毫米波国家重点实验室开放基金(批准号:K201723)资助的课题. （批准号:11504177）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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