物理学报2018，Vol.67Issue(21)：284-293,10.DOI:10.7498/aps.67.20181372
绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究
Radiation induced parasitic effect in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
摘要
关键词
绝缘体上硅/总剂量效应/寄生效应/实验和仿真引用本文复制引用
彭超,恩云飞,李斌,雷志锋,张战刚,何玉娟,黄云..绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究[J].物理学报,2018,67(21):284-293,10.基金项目
国家自然科学基金(批准号:61704031)和博士后创新人才支持计划(批准号:BX201600037)资助的课题. （批准号:61704031）
