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CMOS图像传感器在质子辐照下热像素的产生和变化规律

王田珲 李豫东 文林 冯婕 蔡毓龙 马林东 张翔 郭旗

发光学报2018,Vol.39Issue(12):1697-1704,8.
发光学报2018,Vol.39Issue(12):1697-1704,8.DOI:10.3788/fgxb20183912.1697

CMOS图像传感器在质子辐照下热像素的产生和变化规律

Generation and Annealing of Hot Pixels of CMOS Image Sensor Induced by Proton

王田珲 1李豫东 2文林 1冯婕 1蔡毓龙 1马林东 1张翔 2郭旗1

作者信息

  • 1. 中国科学院 特殊环境功能材料与器件重点试验室,新疆电子信息材料与器件重点试验室,中国科学院 新疆理化技术研究所, 新疆 乌鲁木齐 830011
  • 2. 中国科学院大学,北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

CMOS图像传感器/热像素/质子辐照/位移损伤/暗信号

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王田珲,李豫东,文林,冯婕,蔡毓龙,马林东,张翔,郭旗..CMOS图像传感器在质子辐照下热像素的产生和变化规律[J].发光学报,2018,39(12):1697-1704,8.

基金项目

GF预研基金(6140A2404051) (6140A2404051)

中国科学院西部之光项目(2016-QNXZ-B-2)资助 (2016-QNXZ-B-2)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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