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Al掺杂对Mg2Si介电性质影响的第一性原理研究

廖杨芳 肖清泉 谢泉 王善兰 周瑞雪

原子与分子物理学报2018,Vol.35Issue(6):1044-1050,7.
原子与分子物理学报2018,Vol.35Issue(6):1044-1050,7.DOI:10.3969/j.issn.1000-0364.2018.06.025

Al掺杂对Mg2Si介电性质影响的第一性原理研究

First principles study on dielectric properties of Al-doped Mg2Si

廖杨芳 1肖清泉 2谢泉 3王善兰 1周瑞雪2

作者信息

  • 1. 安顺学院航空电子电气与信息网络贵州省高校工程技术研究中心,安顺561000
  • 2. 贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025
  • 3. 贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳 550001
  • 折叠

摘要

关键词

Al掺杂Mg2Si/第一性原理/形成能/电子结构/介电性质

分类

数理科学

引用本文复制引用

廖杨芳,肖清泉,谢泉,王善兰,周瑞雪..Al掺杂对Mg2Si介电性质影响的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2018,35(6):1044-1050,7.

基金项目

安顺学院航空电子电气与信息网络贵州省高校工程技术研究中心开放基金资助项目(HKDZ201403) (HKDZ201403)

国家自然科学基金资助项目(61264004) (61264004)

贵州省自然科学基金资助项目([2014]2052,[2013]2209) ([2014]2052,[2013]2209)

贵州省科技厅贵州大学联合基金资助项目(20147610) (20147610)

贵州省普通高等学校低维凝聚态物理重点实验室(批准号:黔教合KY字[2016]002) (批准号:黔教合KY字[2016]002)

贵州省科技厅贵州师范大学联合基金项目(黔科合J字LKS[2013]12号) (黔科合J字LKS[2013]12号)

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

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