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Al掺杂HfO2高k栅介质沉积后退火工艺研究

李佳帅张静杨红刘倩倩闫江

电子器件2018，Vol.41Issue(6)：1362-1366,5.

电子器件2018，Vol.41Issue(6)：1362-1366,5.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2018.06.002

Study on Post Deposition Annealing Process of Al-Doped HfO2 High-k Dielectric

李佳帅 ¹张静 ²杨红 ¹刘倩倩 ²闫江¹

作者信息

微电子/Al掺杂的HfO2/退火工艺/结晶/C-V特性/高k

信息技术与安全科学

李佳帅,张静,杨红,刘倩倩,闫江..Al掺杂HfO2高k栅介质沉积后退火工艺研究[J].电子器件,2018,41(6):1362-1366,5.

Ge基MOS器件迁移率的远程库伦散射机制的研究项目(61674003) （61674003）

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1005-9490

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