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杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响

蔡剑辉陈治西刘晨鹤张栋梁刘强俞文杰刘新科马忠权

电子器件2018，Vol.41Issue(6)：1367-1371,5.

电子器件2018，Vol.41Issue(6)：1367-1371,5.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2018.06.003

Influence of Impurity Adsorption on Electrical Properties of Back-Gated MoS2 Field Effect Transistors

蔡剑辉 ¹陈治西 ²刘晨鹤 ¹张栋梁 ²刘强 ²俞文杰 ²刘新科 ²马忠权²

作者信息

MoS2背栅场效应晶体管/杂质吸附/不同的扫描条件/回滞窗口/亚阈值斜率

信息技术与安全科学

蔡剑辉,陈治西,刘晨鹤,张栋梁,刘强,俞文杰,刘新科,马忠权..杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响[J].电子器件,2018,41(6):1367-1371,5.

国家自然科学基金面上项目(61674161) （61674161）

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1005-9490

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