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硅基高精度镍铬薄膜电阻的制备和性能表征

王强文 郭育华 刘建军 王运龙 宋夏

电子器件2018,Vol.41Issue(6):1372-1375,4.
电子器件2018,Vol.41Issue(6):1372-1375,4.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2018.06.004

硅基高精度镍铬薄膜电阻的制备和性能表征

Fabrication and Properties Characterization of Silicon-Based High Precision Nickel Chromium Film Resistors

王强文 1郭育华 1刘建军 1王运龙 1宋夏1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第三十八研究所,合肥230088
  • 折叠

摘要

关键词

系统集成/无源集成元件技术/镍铬薄膜电阻/多层薄膜电路工艺

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王强文,郭育华,刘建军,王运龙,宋夏..硅基高精度镍铬薄膜电阻的制备和性能表征[J].电子器件,2018,41(6):1372-1375,4.

基金项目

装备预先研究项目(41423070115) (41423070115)

电子器件

OA北大核心CSTPCD

1005-9490

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