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缓冲层材料对纤锌矿结构GaN(0001) 光电发射性能的影响

李飙 任艺 常本康

电子器件2018，Vol.41Issue(6)：1376-1379,4.
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电子器件2018，Vol.41Issue(6)：1376-1379,4.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2018.06.005

缓冲层材料对纤锌矿结构GaN(0001) 光电发射性能的影响

Influence of Buffer Layer Material on Photoemission for Wurtzite GaN( 0001)

李飙 1任艺 2常本康3

作者信息

  • 1. 商丘师范学院电子电气工程学院,河南 商丘476000
  • 2. 商丘职业技术学院机电系,河南 商丘476000
  • 3. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京210094
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摘要

关键词

光电子学/光电子器件/光谱响应/光电阴极/氮化镓/缓冲层/铝镓氮

分类

数理科学

引用本文复制引用

李飙,任艺,常本康..缓冲层材料对纤锌矿结构GaN(0001) 光电发射性能的影响[J].电子器件,2018,41(6):1376-1379,4.

基金项目

国家自然科学基金项目(91433108) （91433108）

电子器件

OA北大核心CSTPCD

1005-9490

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