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耦合间距对SOI微环谐振腔的性能影响

王伟雄

电子器件2018,Vol.41Issue(6):1483-1487,5.
电子器件2018,Vol.41Issue(6):1483-1487,5.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2018.06.027

耦合间距对SOI微环谐振腔的性能影响

Influence of Coupling Gap on the Performance of SOI Microring Resonator

王伟雄1

作者信息

  • 1. 广州民航职业技术学院,广州510403
  • 折叠

摘要

关键词

集成光学/微环谐振腔/耦合实验/耦合间距

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王伟雄..耦合间距对SOI微环谐振腔的性能影响[J].电子器件,2018,41(6):1483-1487,5.

基金项目

山西省自然科学基金项目(2013011015-1) (2013011015-1)

电子器件

OA北大核心CSTPCD

1005-9490

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