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SiC籽晶上生长AlN单晶的杂质组成及处理

张丽 齐海涛 程红娟 金雷 史月增

硅酸盐学报2019,Vol.47Issue(1):27-32,6.
硅酸盐学报2019,Vol.47Issue(1):27-32,6.DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.2019.01.03

SiC籽晶上生长AlN单晶的杂质组成及处理

Composition and Treatment of Impurities in AlN Single Crystal Grown on SiC Seed

张丽 1齐海涛 1程红娟 1金雷 1史月增1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220
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摘要

关键词

氮化铝单晶/碳化硅籽晶/杂质组成/杂质处理

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张丽,齐海涛,程红娟,金雷,史月增..SiC籽晶上生长AlN单晶的杂质组成及处理[J].硅酸盐学报,2019,47(1):27-32,6.

基金项目

国家重点研发计划项目(2017YFB0404103) (2017YFB0404103)

国家自然科学基金项目(51702297) (51702297)

天津市第二批特支计划高层次创新创业团队支持项目. ()

硅酸盐学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0454-5648

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