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基于倾斜纳磁体翻转倾向性的与(或)逻辑门 应力模型

刘嘉豪 杨晓阔 危波 李成 张明亮 李闯 董丹娜

物理学报2019,Vol.68Issue(1):277-285,9.
物理学报2019,Vol.68Issue(1):277-285,9.DOI:10.7498/aps.68.20181621

基于倾斜纳磁体翻转倾向性的与(或)逻辑门 应力模型

Modeling of stress-regulated AND (OR) logic gate based on flipping preference of tilted nanomagnet

刘嘉豪 1杨晓阔 1危波 1李成 1张明亮 2李闯 1董丹娜1

作者信息

  • 1. 空军工程大学基础部,西安 710051
  • 2. 空军通信士官学校有线通信系,大连 116100
  • 折叠

摘要

关键词

纳磁体/磁逻辑/应力调控/逻辑门

引用本文复制引用

刘嘉豪,杨晓阔,危波,李成,张明亮,李闯,董丹娜..基于倾斜纳磁体翻转倾向性的与(或)逻辑门 应力模型[J].物理学报,2019,68(1):277-285,9.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:61302022,61804184)和空军工程大学校长基金(批准号:XZJK2018034)资助的课题. (批准号:61302022,61804184)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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