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单层MoSe2-WSe2平面异质结的可控生长及表征

段智勇 颜元凯 顾杰 万茜 顾晓峰

人工晶体学报2018,Vol.47Issue(12):2457-2463,7.
人工晶体学报2018,Vol.47Issue(12):2457-2463,7.

单层MoSe2-WSe2平面异质结的可控生长及表征

Controlled Growth and Characterization of Monolayer MoSe2-WSe2 Lateral Heterojunction

段智勇 1颜元凯 1顾杰 1万茜 1顾晓峰1

作者信息

  • 1. 江南大学电子工程系,物联网技术应用教育部工程研究中心,无锡 214122
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摘要

关键词

钼酸铵/钨酸铵/化学气相沉积/平面异质结

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

段智勇,颜元凯,顾杰,万茜,顾晓峰..单层MoSe2-WSe2平面异质结的可控生长及表征[J].人工晶体学报,2018,47(12):2457-2463,7.

基金项目

国家自然科学基金(61804067) (61804067)

江苏省自然科学基金(BK20170193) (BK20170193)

江苏省"双创博士"资助项目(1256010241180240) (1256010241180240)

中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP11746, JUSRP51726B) (JUSRP11746, JUSRP51726B)

江南大学新进人员科研启动基金(1255210322161270) (1255210322161270)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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