物理学报2019，Vol.68Issue(2)：202-207,6.DOI:10.7498/aps.68.20181530
纳米尺度下Si/Ge界面应力释放机制的分子动力学研究
Molecular dynamics study of release mechanism of stress at Si/Ge interface on a nanoscale
陈仙 1张静 1唐昭焕1
作者信息
- 1. 模拟集成电路重点实验室,重庆 400060
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摘要
关键词
Si/Ge/界面/分子动力学/界面应力/缺陷层引用本文复制引用
陈仙,张静,唐昭焕..纳米尺度下Si/Ge界面应力释放机制的分子动力学研究[J].物理学报,2019,68(2):202-207,6.
