电子科技2018，Vol.31Issue(12)：81-85,5.DOI:10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.12.019
一种纳米级存储器芯片的ESD的物理失效分析和研究
Physical Failure Analysis and Research of a Nano Scale Memory Chip ESD
ZHANG Dengjun 1LU Zhaoqi1
作者信息
摘要
关键词
静电保护/失效分析/ESD潜在损伤/FIB/EMMI分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
ZHANG Dengjun,LU Zhaoqi..一种纳米级存储器芯片的ESD的物理失效分析和研究[J].电子科技,2018,31(12):81-85,5.
