发光学报2019，Vol.40Issue(2)：209-214,6.DOI:10.3788/fgxb20194002.0209
退火温度对新型有源层WZTO薄膜晶体管性能的影响
Influence of Annealing Temperatures on Properties of Novel W-Zn-Sn-O Thin Film Transistor
摘要
关键词
退火温度/溶液法/薄膜晶体管/WSnZnO分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
YANG Xiang,XU Bing,ZHOU Chang,ZHANG Jian-hua,LI Xi-feng..退火温度对新型有源层WZTO薄膜晶体管性能的影响[J].发光学报,2019,40(2):209-214,6.基金项目
国家重点研发计划(2016YFB0401105) （2016YFB0401105）
国家自然科学基金(61674101) （61674101）
上海科学技术委员会项目(17DZ2291500) （17DZ2291500）
上海市优秀学术/技术带头人计划(18XD1424400)资助项目 （18XD1424400）
