人工晶体学报2019，Vol.48Issue(1)：127-130,136,5.
C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO2电子结构的第一性原理研究
First-principles Study on Electronic Structure of C-X( X=Y,Zr) Co-doped SnO2
摘要
关键词
SnO2/能带结构/态密度分类
数理科学引用本文复制引用
FU Chun-ping,HUANG Hao,SUN Ling-tao,XIA Ji-hong,CHENG Zheng-fu..C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO2电子结构的第一性原理研究[J].人工晶体学报,2019,48(1):127-130,136,5.基金项目
重庆市教委科技项目资助(KJ1601128) （KJ1601128）
重庆市高校微纳米材料工程与技术重点实验室开放课题基金(KF2016012) （KF2016012）
重庆市高校新型储能器件及应用工程研究中心开放课题资助(KF20170106) （KF20170106）
