液晶与显示2019，Vol.34Issue(1)：7-13,7.DOI:10.3788/YJYXS20193401.0007
氧化物薄膜晶体管刻蚀阻挡层PECVD沉积条件研究
Etch-stop layer plasma chemical enhanced vapor deposition for oxide thin-film-transistor
WAN Yun-hai 1ZOU Zhi-xiang 1LIN Liang 1YANG Cheng-shao 1HUANG Yin-hu 1WANG Zhang-tao1
作者信息
摘要
关键词
氧化物半导体/薄膜晶体管液晶显示器/等离子体增强化学气相沉积法/刻蚀阻挡层分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
WAN Yun-hai,ZOU Zhi-xiang,LIN Liang,YANG Cheng-shao,HUANG Yin-hu,WANG Zhang-tao..氧化物薄膜晶体管刻蚀阻挡层PECVD沉积条件研究[J].液晶与显示,2019,34(1):7-13,7.
