电子器件2019，Vol.42Issue(1)：1-4,4.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2019.01.001
表面处理降低GaAs界面态密度的研究
Study on Decreasing GaAs Interface State Density by Surface Treatment
肖和平 1王瑞瑞1
作者信息
- 1. 扬州乾照光电有限公司,江苏 扬州225101
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摘要
关键词
表面处理/GaAs/界面态密度/结合能分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
肖和平,王瑞瑞..表面处理降低GaAs界面态密度的研究[J].电子器件,2019,42(1):1-4,4.
