电子器件2019，Vol.42Issue(1)：9-13,5.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2019.01.003
基于SiC基底的Y2O3/Al2O3堆栈MOS 电容的特性研究
Study of High-k Y2O3/Al2O3 Stack Dielectric MOS Capacitance on SiC Wafer
摘要
关键词
碳化硅/MOS电容/高k介质/Y2O3/Al2O3堆栈/C-V特性分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李诚瞻,赵艳黎,吴煜东,陈喜明,贾仁需..基于SiC基底的Y2O3/Al2O3堆栈MOS 电容的特性研究[J].电子器件,2019,42(1):9-13,5.基金项目
国家重点研发计划项目(2016YFB0400403) （2016YFB0400403）
