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热退火对GaN阴极光电发射性能的影响

李飙 任艺 常本康

电子器件2019，Vol.42Issue(1)：19-22,4.
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电子器件2019，Vol.42Issue(1)：19-22,4.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2019.01.005

热退火对GaN阴极光电发射性能的影响

Effects of Thermal Annealing on the Photoemission Performance of GaN Photocathode

李飙 1任艺 2常本康3

作者信息

  • 1. 商丘师范学院电子电气工程学院,河南 商丘476000
  • 2. 商丘职业技术学院机电系,河南 商丘476000
  • 3. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京210094
  • 折叠

摘要

关键词

光电子学/光电子器件/光谱响应/光电发射/光电阴极/氮化镓/退火

分类

数理科学

引用本文复制引用

李飙,任艺,常本康..热退火对GaN阴极光电发射性能的影响[J].电子器件,2019,42(1):19-22,4.

基金项目

国家自然科学基金项目(91433108) （91433108）

电子器件

OA北大核心CSTPCD

1005-9490

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