电气技术2018，Vol.19Issue(11)：10-14,21,6.
栅极低电压对关断瞬态的影响
The effect of gate low voltage on the turn-off transients
李乐乐 1李建成 2王洪利 1孙铭泽1
作者信息
- 1. 湘潭大学物理与光电工程学院,湖南湘潭 411100
- 2. 国防科技大学电子科学与工程学院,长沙 410073
- 折叠
摘要
关键词
SiC MOSFET/栅极低电压/过冲电压/功耗引用本文复制引用
李乐乐,李建成,王洪利,孙铭泽..栅极低电压对关断瞬态的影响[J].电气技术,2018,19(11):10-14,21,6.
