电子科技2019，Vol.32Issue(1)：5-10,6.DOI:10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2019.01.002
基于密度泛函理论的单层MoS2纳米材料气敏性能研究
DFT Study on Gas Sensing Property of MoS2 Monolayer
摘要
关键词
单层二硫化钼/掺杂处理/第一性原理/能带结构/态密度/气敏性能分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
臧道俊,李运祥,徐帅,王岩..基于密度泛函理论的单层MoS2纳米材料气敏性能研究[J].电子科技,2019,32(1):5-10,6.基金项目
国家自然科学基金(51575246) （51575246）
江苏省六大人才高峰项目(JXQC-006) （JXQC-006）
