工程科学学报2019，Vol.41Issue(2)：224-229,6.DOI:10.13374/j.issn2095-9389.2019.02.009
非晶半导体薄膜用Te系化合物靶材制备
Preparation of Te-based compound target for amorphous semiconductor thin film
潘兴浩 1储茂友 1王星明 1刘宇阳 1白雪 1桂涛 1张朝1
作者信息
- 1. 北京有色金属研究总院稀有金属冶金材料研究所,北京100088
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摘要
关键词
非晶半导体/粉体/靶材/TeAsGeSi/致密化分类
化学化工引用本文复制引用
潘兴浩,储茂友,王星明,刘宇阳,白雪,桂涛,张朝..非晶半导体薄膜用Te系化合物靶材制备[J].工程科学学报,2019,41(2):224-229,6.
