| 注册
首页|期刊导航|电子学报|SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比

SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比

周郁明 刘航志 杨婷婷 陈兆权

电子学报2019,Vol.47Issue(3):726-733,8.
电子学报2019,Vol.47Issue(3):726-733,8.DOI:10.3969/j.issn.0372-2112.2019.03.030

SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比

Failure Models and Comparison on Short-Circuit Performances for SiC JFET and SiC MOSFET

周郁明 1刘航志 1杨婷婷 1陈兆权1

作者信息

  • 1. 安徽工业大学电力电子与运动控制安徽省重点实验室,安徽马鞍山243002
  • 折叠

摘要

关键词

SiC JFET/SiC MOSFET/失效/迁移率/泄漏电流/短路

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

周郁明,刘航志,杨婷婷,陈兆权..SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比[J].电子学报,2019,47(3):726-733,8.

基金项目

国家自然科学基金(No.11575003) (No.11575003)

安徽高校自然科学研究重点项目(No.KJ2016A805) (No.KJ2016A805)

电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0372-2112

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文