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氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO2气敏性能研究

胡明 秦岳 赵博硕 强晓永 周立伟

传感技术学报2019,Vol.32Issue(2):167-171,189,6.
传感技术学报2019,Vol.32Issue(2):167-171,189,6.DOI:10.3969/j.issn.1004-1699.2019.02.002

氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO2气敏性能研究

Study on Fabrication and NO2 Sensing Properties of Porous Silicon Modified with WO3 Nanowires

胡明 1秦岳 1赵博硕 1强晓永 1周立伟1

作者信息

  • 1. 天津大学微电子学院,天津300072
  • 折叠

摘要

关键词

气体传感器/复合结构/多孔硅/氧化钨/二氧化氮

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

胡明,秦岳,赵博硕,强晓永,周立伟..氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO2气敏性能研究[J].传感技术学报,2019,32(2):167-171,189,6.

基金项目

国家自然科学基金面上项目(61271070) (61271070)

传感技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1004-1699

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