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强反型区下纳米MOSFET的射频噪声机理分析

曾洪波 彭小梅 王军

强激光与粒子束2019,Vol.31Issue(3):31-35,5.
强激光与粒子束2019,Vol.31Issue(3):31-35,5.DOI:10.11884/HPLPB201931.180375

强反型区下纳米MOSFET的射频噪声机理分析

Analysis of RF noise mechanism in strong inversion region nanoscale MOSFET

曾洪波 1彭小梅 1王军1

作者信息

  • 1. 西南科技大学 信息工程学院,四川 绵阳 621010
  • 折叠

摘要

关键词

纳米MOSFET/受抑制散粒噪声/射频/噪声建模/强反型区/漏极电流噪声

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

曾洪波,彭小梅,王军..强反型区下纳米MOSFET的射频噪声机理分析[J].强激光与粒子束,2019,31(3):31-35,5.

基金项目

国家自然科学基金项目(699010003) (699010003)

四川省教育厅资助科研项目(18ZA0502) (18ZA0502)

强激光与粒子束

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-4322

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