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基于硅基微结构高性能太赫兹波电控调制器

代朋辉 唐亚华 杨青慧 张怀武 文岐业

太赫兹科学与电子信息学报2019,Vol.17Issue(1):29-34,6.
太赫兹科学与电子信息学报2019,Vol.17Issue(1):29-34,6.DOI:10.11805/TKYDA201901.0029

基于硅基微结构高性能太赫兹波电控调制器

High performance electrically modulators based on silicon microstructure with VO2 films for terahertz applications

代朋辉 1唐亚华 1杨青慧 1张怀武 1文岐业1

作者信息

  • 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都 610054
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摘要

关键词

太赫兹波/微米结构/调制器/VO2薄膜/绝缘体金属相变

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

代朋辉,唐亚华,杨青慧,张怀武,文岐业..基于硅基微结构高性能太赫兹波电控调制器[J].太赫兹科学与电子信息学报,2019,17(1):29-34,6.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(51572042) (51572042)

国家国际科技合作专项资助项目(2015DFR50870) (2015DFR50870)

国家科学挑战计划资助项目(TZ2018003) (TZ2018003)

四川省科技支撑资助项目(2014GZ0091 ()

2015GZ0069 ()

2014GZ0003) ()

太赫兹科学与电子信息学报

OA北大核心CSTPCD

2095-4980

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