液晶与显示2019，Vol.34Issue(2)：146-154,9.DOI:10.3788/YJYXS20193402.0146
光刻制程参数对光刻胶DICD和锥角的影响
Influence of lithography process parameter on DICD and taper of photoresist
刘丹 1方亮 2陈启超 1黄晟 1秦刚 1高朋朋 1陈昊 1蔡晓锐 1王百强 1冯家海1
作者信息
- 1. 重庆京东方光电科技有限公司,重庆 400700
- 2. 重庆大学 物理学院,重庆 400044
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摘要
关键词
光刻胶/锥角/显影后关键尺寸/光刻工艺/蒙特卡罗计算分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘丹,方亮,陈启超,黄晟,秦刚,高朋朋,陈昊,蔡晓锐,王百强,冯家海..光刻制程参数对光刻胶DICD和锥角的影响[J].液晶与显示,2019,34(2):146-154,9.
