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空间高速InGaAs-PIN光电二极管辐射损伤效应试验研究

高欣 王俊 冯展祖 汪伟 杨生胜 尹飞 黄新宁 薛玉雄 把得东

航天器环境工程2019，Vol.36Issue(2)：139-145,7.
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航天器环境工程2019，Vol.36Issue(2)：139-145,7.DOI:10.12126/see.2019.02.006

空间高速InGaAs-PIN光电二极管辐射损伤效应试验研究

Radiation damage of high-speed InGaAs-PIN photodiode devices used for space laser communication

高欣 1王俊 2冯展祖 3汪伟 2杨生胜 3尹飞 2黄新宁 4薛玉雄 1把得东2

作者信息

  • 1. 真空技术与物理国家级重点实验室
  • 2. 兰州空间技术物理研究所,兰州 730000
  • 3. 空间环境材料行为及评价技术国家级重点实验室
  • 4. 中国科学院 西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 710119
  • 折叠

摘要

关键词

PIN光电二极管/暗电流/光电流/光谱响应/辐射效应/电离总剂量效应/位移损伤效应

分类

能源科技

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高欣,王俊,冯展祖,汪伟,杨生胜,尹飞,黄新宁,薛玉雄,把得东..空间高速InGaAs-PIN光电二极管辐射损伤效应试验研究[J].航天器环境工程,2019,36(2):139-145,7.

基金项目

国家自然科学基金项目(编号:11475078) （编号:11475078）

装备预研抗辐射加固基金项目(编号:6140A24XXXXXX) （编号:6140A24XXXXXX）

航天器环境工程

OACSTPCD

1673-1379

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