北京信息科技大学学报（自然科学版）2019，Vol.34Issue(2)：19-22,4.DOI:10.16508/j.cnki.11-5866/n.2019.02.005
基于半导体物理的MOSFET亚阈区电流特性研究
Study on sub-threshold current characteristics of MOSFET based on physical state of semiconductor surface
摘要
关键词
金属氧化物半导体场效应晶体管/空间电荷区/亚阈值区/电流模型分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
高歌,殷树娟,于肇贤..基于半导体物理的MOSFET亚阈区电流特性研究[J].北京信息科技大学学报（自然科学版）,2019,34(2):19-22,4.基金项目
国家自然科学基金资助项目(61604014) （61604014）
北京市教委科技面上项目(71E1810981) （71E1810981）
