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催化剂浓度对6H-SiC晶片Si面化学机械抛光性能的影响

滕康 陈国美 倪自丰 钱善华 白亚雯

表面技术2019，Vol.48Issue(3)：291-296,6.
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表面技术2019，Vol.48Issue(3)：291-296,6.DOI:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2019.03.039

催化剂浓度对6H-SiC晶片Si面化学机械抛光性能的影响

Effect of Catalyst Concentration on Chemical Mechanical Polishing Performance of Si Surface of 6H-SiC Wafer

滕康 1陈国美 2倪自丰 1钱善华 1白亚雯3

作者信息

  • 1. 江南大学 机械工程学院,江苏 无锡 214122
  • 2. 无锡商业职业技术学院 机电技术学院, 江苏 无锡 214153
  • 3. 无锡太湖学院,江苏 无锡 214064
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅/化学机械抛光/催化剂/材料去除率/表面粗糙度/粒径分布

分类

矿业与冶金

引用本文复制引用

滕康,陈国美,倪自丰,钱善华,白亚雯..催化剂浓度对6H-SiC晶片Si面化学机械抛光性能的影响[J].表面技术,2019,48(3):291-296,6.

基金项目

国家自然科学基金(51305166) （51305166）

表面技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-3660

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